這大大提高了物體表面的潤濕性和附著力。這個(gè)非常重要。對于許多材料。因此,BGA等離子體清潔等離子清洗比使用溶劑的濕法清洗具有許多優(yōu)點(diǎn)。等離子清洗相對于濕法清洗的優(yōu)勢體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:等離子清洗后,待清洗的物體非常干燥,無需進(jìn)一步干燥即可送入下一道工序。它不使用三氯乙烷等有害污染物,是一種有助于保護(hù)環(huán)境的綠色清潔方法。與激光等直射光不同,在無線電波范圍內(nèi)以高頻產(chǎn)生的等離子體不具有很強(qiáng)的方向性。
物體上的小孔和凹槽可以深入滲透,BGA等離子體清潔機(jī)器完成清潔過程。因此,無需考慮被清洗物形狀的影響。此外,這些難清潔部分的清潔效果(效果)等于或優(yōu)于氟利昂的清潔效果(效果)。整個(gè)清洗過程可在幾分鐘內(nèi)完成,其特點(diǎn)是收率高。。等離子清洗的類型 等離子清洗的類型取決于等離子的產(chǎn)生方式。如圖所示,等離子清洗包括電暈等離子清洗、輝光等離子清洗、高頻等離子清洗、介質(zhì)阻擋等離子清洗、微波等離子清洗和常壓等離子弧清洗。
輝光等離子清洗是一種在低壓條件下穩(wěn)定、自持的放電,BGA等離子體清潔其中將特定電壓施加到兩個(gè)扁平電極上以形成輝光放電。放電電流為毫安級。這是由陽離子對陰極的影響產(chǎn)生的二次電子發(fā)射來維持的。電源為直流或交流。可以產(chǎn)生典型的大量強(qiáng)激發(fā)冷等離子體,但其工作壓力過低,難以連續(xù)產(chǎn)生,工業(yè)應(yīng)用成本高。目前的應(yīng)用范圍主要用于半導(dǎo)體行業(yè)的清潔。 RF 等離子清洗 RF 放電通常在低氣壓下運(yùn)行,但也可以在正常或加壓條件下運(yùn)行。
冷等離子處理只涉及材料的表面,BGA等離子體清潔機(jī)器不影響材料的大部分性能。由于等離子清洗是在高真空下進(jìn)行的,各種活性離子在等離子中的自由通道很長,它們的滲透性和滲透性很強(qiáng),可以處理細(xì)管、盲孔等復(fù)雜結(jié)構(gòu)。官能團(tuán)的引入:用N2、NH3、O2、SO2等氣體對高分子材料進(jìn)行等離子體處理,改變了表面的化學(xué)成分,對應(yīng)新的官能團(tuán)(-NH2、-OH、-COOH、-SO3H等)可能會(huì)介紹。
BGA等離子體清潔機(jī)器
等離子體是物質(zhì)的狀態(tài),也稱為物質(zhì)的第四狀態(tài),不屬于一般固液氣體的三種狀態(tài)。當(dāng)向氣體施加足夠的能量以使其電離時(shí),它就會(huì)變成等離子體狀態(tài)。等離子體的“活性”成分包括離子、電子、原子、反應(yīng)基團(tuán)、激發(fā)態(tài)核素(亞穩(wěn)態(tài))、光子等。等離子清洗劑利用這些活性成分的特性對樣品表面進(jìn)行處理,達(dá)到清洗、鍍膜等目的。等離子體按氣體可分為以下兩種。
脈沖寬度主要由C2的電容決定。脈沖重復(fù)頻率由 RSG 轉(zhuǎn)軸的轉(zhuǎn)速?zèng)Q定。轉(zhuǎn)速可由調(diào)速直流電機(jī)調(diào)節(jié)。電機(jī)調(diào)速段與脈沖高壓段采用1:1隔離變壓器電氣隔離。將給C充電的兩根導(dǎo)線互換即可得到脈沖電壓的正負(fù)轉(zhuǎn)換。電源220V的低壓控制部分包括電壓調(diào)節(jié)和電機(jī)轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)。等離子清洗機(jī)脈沖電源的高壓和脈沖形成部分應(yīng)放置在屏蔽網(wǎng)上,以防止電磁輻射干擾設(shè)備并傷害人體。
等離子清洗機(jī);其次,等離子清洗機(jī)的加工過程中使用的工藝參數(shù)是根據(jù)不同的材料來選擇的,參數(shù)控制也是設(shè)備制造商的能力。測試。如果您想了解更多詳細(xì)信息,請隨時(shí)與我們聯(lián)系并回答有關(guān)連接器處理的任何問題。
鋒利的毛刺更容易傷害人體皮膚并威脅人身安全。我們開發(fā)了等離子表面處理機(jī),以解決注塑產(chǎn)品毛刺和注塑后精加工產(chǎn)生的毛刺問題。等離子表面處理機(jī)去毛刺塑料毛刺的原理:氣體等離子,利用能量轉(zhuǎn)換技術(shù)將氣體轉(zhuǎn)化為高反應(yīng)性氣體等離子,溫和地清洗固體樣品表面,改變其分子結(jié)構(gòu),樣品表面是一種超潔凈、非破壞性表面處理方法,可在極短時(shí)間內(nèi)完全去除有機(jī)污染物。去污力在分子水平上達(dá)到目標(biāo)水平。
BGA等離子體清潔機(jī)器
等離子體清潔原理