等離子體清洗機(jī)處理隱形眼鏡的過(guò)程:一般加工過(guò)程中通常采用真空等離子體隱形鏡片清洗機(jī)，百格附著力GB9286是在真空中低壓和高頻高壓電場(chǎng)的作用下，將氣體等離子體變成高活性的，低溫等離子體轉(zhuǎn)化成隱形眼鏡表面后與之產(chǎn)生微反應(yīng)，各種有機(jī)污染物改變分子結(jié)構(gòu)，也能改變隱形眼鏡表面的特征。等離子清洗機(jī)加工隱形鏡片會(huì)有什么效果?1、提高隱形眼鏡的防污能力，減少污染物再次附著在鏡片上。

（2）物理反應(yīng)（Physical reaction） 主要是利用等離子體里的離子作純物理的撞擊，百格附著力GB9286把材料表面的原子或附著材料表面的原子打掉，由于離子在壓力較低時(shí)的平均自由基較輕長(zhǎng)，有得能量的累積，因而在物理撞擊時(shí)，離子的能量越高，越是有的作撞擊，所以若要以物理反應(yīng)為主時(shí)，就必須控制較的壓力下來(lái)進(jìn)行反應(yīng)，這樣清洗效果較好。。

當(dāng)電子器件被輸送到潔凈表面區(qū)域時(shí)，附著力GB1720-79與附著在潔凈表面的污染物分子結(jié)構(gòu)發(fā)生碰撞，會(huì)促進(jìn)污染物分子結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變和活性氧的形成，這將有助于進(jìn)一步激活污染物的分子結(jié)構(gòu)。此外，低質(zhì)量電子的移動(dòng)速度比離子快得多，因此它們?cè)陔x子到達(dá)物體表面之前到達(dá)物體表面，并給物體表面帶負(fù)電荷，從而有助于誘發(fā)進(jìn)一步的活化反應(yīng)。

克魯克斯在1879年初次明確提出物質(zhì)第四態(tài)的存在，附著力GB1720-79這也就是大家所說(shuō)的等離子（Plasma）。等離子清洗機(jī)經(jīng)過(guò)反應(yīng)產(chǎn)生的等離子包括電子、離子及活性高的自由基，這些粒子很容易和產(chǎn)品表面的污染物進(jìn)行反應(yīng)，zui終形成二氧化碳和水蒸氣被排出去，以此達(dá)到增加表面粗糙及表面清洗的效用。

附著力GB1720-79

這項(xiàng)技能可以應(yīng)用于許多領(lǐng)域。。等離子體清洗設(shè)備采用蒸氣作為清洗材料，不會(huì)造成液體清洗材料對(duì)被清洗材料的二次污染。等離子清洗機(jī)工作時(shí)，真空清洗腔內(nèi)的等離子輕輕清潔被清洗物質(zhì)表面，污染物可在短時(shí)間內(nèi)被徹底清洗。同時(shí)通過(guò)真空泵將污染物抽走，清潔程度可達(dá)分子級(jí)。SirWilliamCrokes在1879年發(fā)現(xiàn)了等離子體。等離子體清洗設(shè)備起源于20世紀(jì)初，被用于工業(yè)。

在等離子清洗機(jī)的半導(dǎo)體集成電路制造過(guò)程中，對(duì)所有氣體的純度要求極高。典型氣體的純度一般控制在至少 79 秒（99.99999% 或更高），特殊氣體的個(gè)別成分應(yīng)控制在至少 49 秒（> 99.99%）的純度。氣體中雜質(zhì)顆粒的大小需要控制在直徑0.1μm以?xún)?nèi)，另外需要控制的是氧氣。水分和其他微量雜質(zhì)（如金屬）。許多特種氣體具有毒性、腐蝕性和自燃性（在某些條件下在室溫下燃燒）。

對(duì)于典型的密度多層 PCB 設(shè)計(jì)，建議使用 0.25mm/0.51mm/0.91mm（鉆孔/焊盤(pán)/電源絕緣區(qū)域）的過(guò)孔。對(duì)于一些高密度的PCB，0.20mm / 0.46mm vias / 0.86mm，也可以嘗試非穿透過(guò)孔。對(duì)于電源或地線(xiàn)過(guò)孔，您可以考慮使用更大的尺寸來(lái)降低阻抗。 (2) POWER 絕緣面積如下。考慮到PCB的過(guò)孔密度（通常D1=D2+0.41），越大越好。

在plasma等離子體能量密度為860kJ/mol時(shí)，乙烷轉(zhuǎn)化率可達(dá)59.2%，乙烯收率和乙炔收率之和達(dá)37.9%。但同時(shí)也應(yīng)注意到，隨著等離子體能量密度的增加，生成C2H4和C2H2的選擇性逐漸降低，并有較多的積碳在反應(yīng)器璧生成。為獲得較高的能量效率，應(yīng)選擇合適的plasma等離子體能量密度，而非能量密度越高越好。

附著力GB1720-79

plasma等離子體能量密度對(duì)H2氣氛下C2H6脫氫反應(yīng)的影響：plasma等離子體能量密度為860 kJ/mol時(shí)，百格附著力GB9286H2添加量對(duì)C2H6脫氫反應(yīng)的影響：隨著H2濃度增加，C2H6轉(zhuǎn)化率，C2H2、C2H4和CH4收率均有所增加，這表明H2的加入有利于C2H6轉(zhuǎn)化及C2H2、C2H4和CH4生成。