在頂部,吉林在線式等離子清洗機廠家如果偏移側(cè)壁的厚度不足以保護多晶硅,在隨后的硅鍺外延生長中,硅鍺外延可以在多晶硅頂部生長,形成缺陷,導(dǎo)致器件失效。會更高。當(dāng)多晶硅的極限尺寸小于硬的。使用掩模膜可以大大降低出現(xiàn)此類缺陷的可能性,從而提高產(chǎn)量。同樣,如果多晶硅在刻蝕后出現(xiàn)嚴(yán)重的底部長腿,那么在PSR刻蝕中底部偏移的側(cè)壁間隔也會消耗更多,后續(xù)的硅鍺外延會在多晶硅底部生長。硅鍺缺陷。
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