在硅襯底上熱生長的SiO2薄膜經過等離子清洗機的等離子表面處理，二氧化硅表面改性巰基提高了二氧化硅薄膜駐極體的穩定電荷積累。有機高分子駐極體材料具有優異的電荷儲存穩定性，市面上的駐極體傳感器多為有機高分子駐極體薄膜傳感器。該傳感器雖然具有壽命長、薄膜型、成本低等優點，但體積龐大的分立器件，無法滿足駐極體聲學傳感器小型化和集成化的要求。近年來，人們發現二氧化硅（SiO2）薄膜表現出優異的駐極體性能。

等離子清洗機的等離子體是第四種不同于固體、液體和氣體的物質形式。它由六種典型的粒子組成，二氧化硅表面改性巰基包括正離子、負離子、電子、激發分子和原子、基態分子或原子和光子。電漿清洗機，在工作中產生大量氧原子等氧基活性物質。當這些氧基等離子體噴射到材料表面時，它們可以與基材表面的有機污染物碳分子分離，成為二氧化碳后被去除。同時，有效提高了材料的表面接觸性能，增強了強度和可靠性。

RF等離子體（激發頻率，二氧化硅離子表面改性13.56MHz）包括物理化學雙反應類型。 (2)工作氣體的種類也影響等離子清洗的種類。例如，通常采用Ar2、N2等形成的等離子體進行物理清洗，通過沖擊對產品表面進行清洗。反應氣體 O2、H2 等等離子通常用于化學清潔，其中活性自由基與污染物（主要是碳氫化合物）發生反應。它反應形成小分子，如一氧化碳、二氧化碳和水，這些小分子會從產品表面去除。

然后用真空泵除去氣態污泥。2)氧:等離子體與樣品表面化合物反應的化學過程。例如，二氧化硅表面改性巰基氧等離子體可以有效地去除有機污染物氧氣等離子體與污染物反應產生二氧化碳，一氧化碳和水。一般來說，化學反應在去除有機污染物方面效果更好。3)氫:氫可以用來去除金屬表面的氧化物。常與氬氣混合，以提高脫除率。人們通常擔心氫的可燃性，因為氫的用量很小。一個更大的擔憂是氫的儲存。我們可以用氫氣發生器從水中產生氫氣。

二氧化硅表面改性巰基

低溫等離子體中存在各種不斷運動和碰撞的粒子，它們都屬于非彈性碰撞，我們稱為等離子體元過程，即等離子體微觀過程，即等離子體微觀過程，如下表。等離子清洗機在包裝等離子涂覆工藝上的應用:二氧化硅可以通過在氧等離子體中氧化硅蒸汽來獲得。陽極電弧工藝使用可消耗的金屬硅，放在熔爐中作為真空電弧的陽極。如果在金屬陰極和上述熔爐之間施加20~30V的DC電壓，只要陰極前面有蒸汽團，陰極和陽極之間就會發生連續電弧放電。

元素發射的譜線數目、強度、形態和寬度等信息與物質所處的物理狀態及物理參量，如溫度、壓力、粒子密度等具有密切關系。因而這試驗技術為我們提供了分析等離子體成分、含量、溫度和微觀運動機制的有效方法。通常情況下，以TEOS作為沉積源沉積二氧化硅薄膜的PECVD技術，一般認為TBOS會發生如下的分解反應：Si(OC2H)4(@) - SiO2(目+ 4C2H(2) + 2H2Og。

例如，在電子產品中，LCD/OLED屏幕的涂層處置、PC塑料架構的粘合前處置、機殼和按鍵等零部件的表面噴油絲印、PCB表面的去膠、去污和清潔、鏡片膠粘貼前的處置、電線和電纜代碼噴涂前的處置、汽車工業燈罩、剎車片和門密封條的粘貼前處置；等離子清洗機提高材料表面的滲透能力，機械行業金屬零件的細微無害清洗處置、鏡片涂裝前的處置、各種工業材料的密封前處置、三維物體表面的改性處置等。。

可是，若采用等離子改性工藝實現清洗，弱化學鍵會很容易中斷，即使污染物質殘余在非常復雜的幾何形狀表層，也會很容易被打斷。一般用天然橡膠、硅橡膠或PVC(PVC)材質制作而成，考慮到材質本身的生物相容性較差，對PVC材料實現等離子改性，以改進其浸潤性，在PVC表層涂覆三氯生、溴硝醇。可殺滅細菌和抗菌劑的粘附，因此可減小病人在使用過程中因材質而引起的感染，改進材質的生物相容性。

二氧化硅離子表面改性

紅外光譜（FT-IR）和X射線光電子能譜（XPS）表明，二氧化硅表面改性巰基改性PTFE表面具有羥基、羰基、羧基等活性基團，提高了PTFE表面的粘合性能。這種處理方法雖然可以獲得較好的表面改性效果，但屬于需要處理大量廢液的濕化學處理，操作危險，對環境和人體危害很大。棕色和黑色。低溫等離子清洗設備的處理就是用等離子對其表面進行處理。等離子清洗機是一種干法工藝，可在不產生污染物的情況下節省能源。