硅片的制作可以概括為三個基本步驟：硅精制提純、單晶硅生長和硅片成形。
另外由于三維立體鰭部的存在，涂層附著力測量步驟其頂部以上部分和頂部以下部分的多晶硅柵蝕刻環境有所不同，因此等離子表面處理儀蝕刻過程中為了形成理想的多晶硅柵剖面形貌， 通常會把高選擇比的軟著陸步驟拆分成幾步以達到優化多晶硅剖面形貌的目的。由于源漏極的外延直接在鰭部形成，如此便意味著FinFET的多晶硅蝕刻中的鰭部損耗相比平面結構的襯底硅的損耗變得不是特別重要。
另外，涂層附著力測量步驟由于3D 3D鰭片的存在，上下多晶硅柵的刻蝕環境不同，所以為了形成理想的多晶硅柵輪廓，通常采用等離子表面處理設備的刻蝕工藝。用過的。軟著陸步驟分為幾個步驟，以達到優化多晶硅外形的目標。由于源極和漏極外延層直接形成在鰭片上，這意味著在 FinFET 多晶硅蝕刻中鰭片的損失不如平面襯底硅的損失重要。
等離子清洗機/等離子處理機/等離子處理設備廣泛應用于等離子清洗、等離子刻蝕、等離去膠、等離子涂覆、等離子灰化、等離子處理和等離子表面處理等場合。
涂層附著力測量步驟
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在這個裝置中，兩個電極被放置在一個封閉的容器內以形成一個電場，一個真空泵提供真空。隨著氣體越來越稀薄，分子結構與分子結構或離子自由運動的距離越來越大。它們在電場的作用下與等離子體碰撞形成等離子體。它的活性非常高，能量轉換足以破壞幾乎所有的離子鍵，并且在暴露的表面上會發生化學反應。在真空下，等離子體對工件表面進行化學或物理處理，以去除分子結構水平（通常為 3 至 30 納米厚）。
在另一些情況下，自由基與物體表面分子結合的同時，會釋放出大量的結合能，這種能量又成為引發新的表面反應推動力，從而引發物體表面上的物質發生化學反應而被去除。
等離子體是指被電離的氣體，它與固態、液態和氣態物質比較有不同的物理和化學性質，常被稱為物質的第四態。由于等離子體中存在大量電子、正離子、自由基、亞穩態的分子和原子等，當等離子體與被清洗物質表面相互接觸時，會產生物理刻蝕、化學分解等物理和化學過程，從而分解或清除污染物。大氣常壓等離子清洗機結構組成：大氣常壓等離子清洗機，包括高頻電源、供氣源、電極、等離子體放電區間和噴口等，如圖1所示。
預熱基材提高涂層附著力
