等離子清洗/生產等離子蝕刻機設備，塑膠plasma刻蝕在密封容器中設置兩個電極形成電場，在真空室中抽真空一定程度，隨著氣體越來越薄，分子之間的距離越來越遠，分子或離子，自由的運動距離也越來越大，是一個電場，它們之間的碰撞形成等離子體，等離子體的活性越來越高，它的能量可以破壞幾乎所有的化學鍵，在任何暴露的表面引起反應，不同的氣體等離子體有不同的性質，如氧等離子體具有較高的氧化性，可以氧化光刻膠反應產生的氣體，從而達到清洗的效果;刻蝕氣體等離子體具有良好的各向異性，因此可以滿足刻蝕的需要。
蝕刻工藝產率是衡量生產效率的指標，塑膠plasma刻蝕指的是每單位時間內蝕刻的晶圓數。另一個重要的質量指標是晶圓內部和晶圓之間的蝕刻均勻性，這是芯片成品率的保證。對于等離子清洗機的蝕刻各向異性，它直接定義了蝕刻后微結構的側壁輪廓。潛在等離子體誘導損傷(PID)對器件性能有重要影響。對于傳統的連續等離子體刻蝕，當器件尺寸降低到14nm以下時，實現上述刻蝕目標變得越來越困難。
等離子體干蝕刻機制造商鎵作為蝕刻機:除銦鎵砷外，塑膠plasma刻蝕鎵砷是一種被廣泛期待的半導體材料，并且這兩種材料經常被一起用于制造高性能器件。因此，有必要對這類半導體的刻蝕技術進行探討和展望。用Cl2和BCl3混合氣體對鎵和砷半導體材料進行深孔刻蝕。蝕刻速率為6-8um /min，光刻膠作為掩膜材料。選擇比為8∶1。
如果您對等離子表面清洗設備有更多的疑問，塑膠plasma刻蝕機器歡迎咨詢我們(廣東金來科技有限公司)
塑膠plasma刻蝕機器
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整個清洗過程可在幾分鐘內完成，具有產率高的特點;在清洗和去污的同時，還可以提高材料的表面性能。如提高表面潤濕性、膜的良好附著力等，在許多應用中都是非常重要的。目前，等離子體表面處理的應用越來越廣泛，國內外用戶對等離子體清洗的要求越來越高。好的產品還需要專業的技術支持和維護。。
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大氣等離子體電離過程可以很容易地控制和安全重復。高效的表面處理是提高產品可靠性和工藝效率的關鍵，等離子體技術也是目前較為理想的技術。大氣等離子體設備通過外部活化改善大多數物質的性能:潔凈度、親水性、排水性、附著力、潤滑性、耐磨性。
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