等離子清洗/生產(chǎn)等離子蝕刻機(jī)設(shè)備，塑膠plasma刻蝕在密封容器中設(shè)置兩個(gè)電極形成電場，在真空室中抽真空一定程度，隨著氣體越來越薄，分子之間的距離越來越遠(yuǎn)，分子或離子，自由的運(yùn)動(dòng)距離也越來越大，是一個(gè)電場，它們之間的碰撞形成等離子體，等離子體的活性越來越高，它的能量可以破壞幾乎所有的化學(xué)鍵，在任何暴露的表面引起反應(yīng)，不同的氣體等離子體有不同的性質(zhì)，如氧等離子體具有較高的氧化性，可以氧化光刻膠反應(yīng)產(chǎn)生的氣體，從而達(dá)到清洗的效果;刻蝕氣體等離子體具有良好的各向異性，因此可以滿足刻蝕的需要。
蝕刻工藝產(chǎn)率是衡量生產(chǎn)效率的指標(biāo)，塑膠plasma刻蝕指的是每單位時(shí)間內(nèi)蝕刻的晶圓數(shù)。另一個(gè)重要的質(zhì)量指標(biāo)是晶圓內(nèi)部和晶圓之間的蝕刻均勻性，這是芯片成品率的保證。對(duì)于等離子清洗機(jī)的蝕刻各向異性，它直接定義了蝕刻后微結(jié)構(gòu)的側(cè)壁輪廓。潛在等離子體誘導(dǎo)損傷(PID)對(duì)器件性能有重要影響。對(duì)于傳統(tǒng)的連續(xù)等離子體刻蝕，當(dāng)器件尺寸降低到14nm以下時(shí)，實(shí)現(xiàn)上述刻蝕目標(biāo)變得越來越困難。
等離子體干蝕刻機(jī)制造商鎵作為蝕刻機(jī):除銦鎵砷外，塑膠plasma刻蝕鎵砷是一種被廣泛期待的半導(dǎo)體材料，并且這兩種材料經(jīng)常被一起用于制造高性能器件。因此，有必要對(duì)這類半導(dǎo)體的刻蝕技術(shù)進(jìn)行探討和展望。用Cl2和BCl3混合氣體對(duì)鎵和砷半導(dǎo)體材料進(jìn)行深孔刻蝕。蝕刻速率為6-8um /min，光刻膠作為掩膜材料。選擇比為8∶1。
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塑膠plasma刻蝕機(jī)器
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整個(gè)清洗過程可在幾分鐘內(nèi)完成，具有產(chǎn)率高的特點(diǎn);在清洗和去污的同時(shí)，還可以提高材料的表面性能。如提高表面潤濕性、膜的良好附著力等，在許多應(yīng)用中都是非常重要的。目前，等離子體表面處理的應(yīng)用越來越廣泛，國內(nèi)外用戶對(duì)等離子體清洗的要求越來越高。好的產(chǎn)品還需要專業(yè)的技術(shù)支持和維護(hù)。。
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大氣等離子體電離過程可以很容易地控制和安全重復(fù)。高效的表面處理是提高產(chǎn)品可靠性和工藝效率的關(guān)鍵，等離子體技術(shù)也是目前較為理想的技術(shù)。大氣等離子體設(shè)備通過外部活化改善大多數(shù)物質(zhì)的性能:潔凈度、親水性、排水性、附著力、潤滑性、耐磨性。
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