等離子體清洗原則和其他的優勢原則是不同的,當接近真空的模塊,射頻功率,打開氣體電離,等離子體,并伴隨著輝光放電,等離子體加速電場下,因此高速運動的電場作用下,表面的物理碰撞,等離子體的能量足以去除各種污染物，二氧化硅等離子體清洗機器同時氧離子可以將有機污染物氧化成二氧化碳和水蒸氣帶出客艙。
因此，二氧化硅等離子體清洗機器CH的轉化率與高能電子的數量和活性氧的濃度有關。二氧化碳的轉化率與高能電子與二氧化碳分子的碰撞有關，這彈性或非彈性碰撞促進:(1)切斷斷裂的二氧化碳生成CO和O:二氧化碳,二氧化碳+ O + EThe消費的CH4 oxygen-active物種支持右翼的轉變反應。(2)基態分子吸收能量和二氧化碳轉換成激發態二氧化碳分子。顯然，二氧化碳的轉化主要依賴于前者。
一般認為，二氧化硅等離子體清洗機器以TEOS為沉積源沉積二氧化硅薄膜的PECVD技術對TBOS的分解反應如下:Si(OC2H)4(@) -sio2 (mesh + 4C2H(2) + 2H2Og。TEOS在等離子體中分解，形成固體二氧化硅沉積在基體上，其他分解產物為氣態，隨反應尾氣排出。光譜圖中Si和C-H的特征峰表明正硅酸乙酯在等離子體中確實發生了分解反應，并形成了硅化合物和一些碳氫化合物。
最后，二氧化硅等離子體清洗機器它會分解成像水和二氧化碳這樣的簡單分子。在其他情況下，當自由基與表面分子結合時，它們會釋放大量的結合能，這些結合能反過來成為新的表面反應的驅動力，導致表面上的物質被化學去除。
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當能量密度高于1500 kJ/mol時，體系中電子的平均能量增加，大部分電子的能量逐漸接近二氧化碳C-O鍵的裂解能，二氧化碳的轉化率迅速增加。同時，CH4轉化率隨能量密度的增加呈對數增長，CO2轉化率隨能量密度的增加呈線性增長。這可能與甲烷和二氧化碳在等離子體下的熱解特性有關。
用濕化學過程是不同的,等離子清洗機是一種干燥處理技術,等離子清洗機是通常使用的氣體,和普通氣體,如氧氣、氮氣、壓縮空氣,不需要使用化學溶液(機),和無害的治療主要是由二氧化碳和其他氣體,作為反應物和產生的氣體含量，不需要干燥，廢水處理，所以等離子清洗機處理廢水無廢氣可以實現。
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