我們的側壁刻蝕是回刻蝕，測附著力的幾種方法各向異性刻蝕，可以理解為相當于只向下刻蝕，沒有或幾乎沒有側刻蝕，所以如果刻蝕量為厚度a，柵極只剩下側壁在的側壁上.想。對于主側壁，其寬度是LDD的長度，由沉積膜的厚度決定。當然，蝕刻本身也會影響側壁的寬度。在亞微米時代，硅酸四乙酯氧化硅（TEOS 氧化硅）直接沉積在柵極上，之后在源極和漏極硅處停止蝕刻以形成側壁。這種方法的問題在于它會導致硅損壞。
這種方法需要 BGA 在高溫下熔化，如何用膠帶檢測法測附著力并可能對 BGA 造成熱損壞。此外，需要添加額外的清潔過程。此外，由于使用了活性助焊劑，因此必須完全清除所有助焊劑殘留物。這使過程復雜化。 (2) 取下 BGA 焊球并重新連接。植球過程復雜、困難、耗時，并且需要在 BGA 中進行兩次加熱。加熱兩次會對 BGA 的內部電路產生不利影響。另外，工作效率低，不適合大批量生產。而且，植球成功率不是很高。 (3)高溫氫氣用于還原。
滴膠系統支持可編程的化學試劑混合能力，測附著力的幾種方法從而控制化學試劑在整個基材上的分布。提供高重復性、高均勻性和先進的超聲清洗、超聲輔助光刻膠剝離和濕法蝕刻系統。濕法蝕刻是一種常用的化學清洗方法。其主要目的是將硅片表面的掩模圖案正確地復制到涂覆的硅片上，以保護硅片的特殊區域。從半導體制造業開始，硅片制造就與濕法刻蝕系統密切相關。
和物理反應相比較，如何用膠帶檢測法測附著力化學反應的缺點不易克服。并且兩種反應機制對表面微觀形貌造成的影響有顯著不同，物理反應能夠使表面在分子級范圍內變得更加“粗糙”，從而改變表面的粘接特性。
如何用膠帶檢測法測附著力
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硅片有多種尺寸，尺寸越大，產率越高。題外話，由于硅片是圓的，所以需求在硅片上剪一個缺口來承認硅片的坐標系，根據缺口的形狀不同分為兩種，分別叫flat、notch。 內部關閉框架、減振器：將作業臺與外部環境隔離，保持水平，減少外界振蕩干擾，并維持穩定的溫度、壓力。光刻機分類 光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半主動、全主動。
整個系統在計算機控制下完全自動化。整臺洗衣機只需定期維護，即可達到整個過程的高（安全）水平。經預處理后，旋轉等離子清洗機24小時不間斷運行，可滿足至少5年的使用壽命要求。因此，選用常壓等離子處理設備，提供定期保養壽命。。大氣等離子處理設備在手機電腦配件中的應用：各種等離子表面處理設備、等離子清洗機、常壓等離子處理設備的制造和開發。
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