工件表面上的污染物,如油脂、通量,膠卷,脫模劑,沖壓油,等等,很快就會被氧化成二氧化碳和水,并將由真空泵抽離,從而達到清洗的目的和改善表面滲透和附著力。低溫等離子體處理只涉及材料的表面，二氧化硅等離子體表面清洗不影響材料的性能。由于等離子體清洗是在高真空條件下進行的，等離子體中各種活性離子自由路徑長，穿透性和滲透性強，可以用細管和盲孔等復雜結構進行處理。

等離子體清洗過程可以獲得真正的清潔,%與等離子體清洗相比,水清洗通常是一個稀釋過程,與二氧化碳清洗技術相比,等離子體清洗不需要使用其他材料,與噴砂清洗相比,等離子體清洗可以完整的處理材料的表面結構,而且不只是表面突出，二氧化硅等離子體刻蝕可在線集成，無需額外空間，運行成本低，預處理工藝環保。等離子清洗機的優點:1。環保技術，等離子體作用過程為氣固共格反應，不消耗水資源，無需添加化學藥劑，對環境無污染。

等離子體清洗機對玻璃表面的清洗，二氧化硅等離子體表面清洗除機械作用外，主要是活性氧的化學作用，Ar*處于等離子體的激發態，使氧分子被激發進行激發被氧原子染色的油和硬脂酸主要由碳氫化合物組成，被活性氧氧化產生二氧化碳和水，將油從玻璃表面除去。玻璃手機面板在化學回火前的清洗過程非常復雜。針狀電極預電離產生的非平衡Ar/O2大氣壓等離子體射流是一個簡單的清洗過程。用接觸角計測定了水、潤滑油與硬脂酸在玻璃板上的接觸角。

因為硬掩模層通常是二氧化硅,和CF4 CHF3常見腐蝕聚合物可以被創建,并積累了保護層和層間介電層的側壁上,如果讓聚合物沉積在墻上,隨后主要腐蝕將通過這個異常圖像底部的洞,在橫條的頂部至底部成為通孔，二氧化硅等離子體表面清洗通孔側壁的粗糙度增大，嚴重影響后續電鍍充銅的完整性。此外，電遷移(EM)作為一種缺陷，容易發生，從而影響電路的可靠性。

二氧化硅等離子體表面清洗：

不同于濕式化學處理工藝，等離子清洗機處理是干式處理工藝，如何理解呢?簡單來說,等離子清洗機是通常使用的氣體,和普通氣體,如氧氣、氮氣、壓縮空氣,不需要使用有機化學解決方案,和無害的治療主要是由二氧化碳和其他氣體,氣體反應物和生產內容,也不需要干燥,因此，等離子清洗機處理廢水無廢氣是可以實現的。

有沒有辦法去除手機屏幕表面的雜質，提高其外觀的粗糙度，又不會影響外觀的正常使用?此時，等離子體清潔器出現。1879年，克魯克斯首次發現了物質的第四種狀態，即等離子體的存在。等離子體清洗機通過等離子體中含有的電子、離子和高活性自由基的反應，這些粒子是非常簡單和表面污染物反應的產物，最終組成的二氧化碳和水蒸氣被排出，以達到添加粗糙外觀和表面清潔的效果。

通過活化、接枝和表面涂層對聚合物和生物材料進行表面刻蝕和活化。常規的清洗方法無法清洗材料的表面膜，留下一層很薄的雜質，溶劑清洗就是一個典型的例子。等離子清洗機是用等離子體對材料表面進行轟擊，輕輕地、干凈地擦洗表面。等離子清洗可以去除隱形的油膜、微小的鐵銹和其他用戶附著在醫療器械上的解毒和殺菌產品，已得到廣泛認可。等離子體清洗機治療在同時清洗和解毒醫療器械方面具有很大的潛力。

第二年，他獲得了半導體設備與材料協會頒發的SEMI獎，因為他建立了半導體行業的等離子體蝕刻標準。1993年底，他被提升為Applied Materials副總裁，負責管理全球商業運營。1994年，他因多年來對半導體設備行業的貢獻而獲得半終身成就獎。林杰克和王寧國博士入選美國硅工程協會名人堂。等離子體刻蝕設備是保證高質量半導體產品批量生產的基石。

二氧化硅等離子體表面清洗：

根據要蝕刻的材料類型、所用氣體的性質和所需的蝕刻類型，二氧化硅等離子體刻蝕等離子體蝕刻有多種類型。操作溫度和壓力對等離子體刻蝕也有重要影響。工作溫度和壓力的微小變化會顯著改變電子的碰撞頻率。RIE(反應離子蝕刻)使用物理和化學機制來實現單向、高級的表面蝕刻。由于RIE過程結合了物理和化學相互作用，它比單獨的等離子體蝕刻要快。高能離子碰撞將電子從等離子體中剝離出來，并允許使用帶正電的等離子體進行表面處理。。

真空等離子清洗機的工作過程如下:將清洗干凈的工件送入真空室固定，二氧化硅等離子體刻蝕設定工作參數，啟動運行裝置，抽真空，即真空室中的標準真空度為10PA左右。將等離子清洗氣體引入真空室，保持其壓力在Pa。根據物料清洗的不同，分貝可以選擇氧氣、氫氣、氬氣或氮氣。在真空室的電極與接地裝置之間施加高頻電壓，使氣體被擊穿，通過輝光放電電離產生等離子體。真空室中產生的等離子體完全包裹在被加工工件中，清洗操作開始。