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等離子體刻蝕機等離子體硅烷化處理的原理是: 等離子體刻蝕機表面的羥基通過硅烷化反應組裝偶聯劑中的硅氨基(Si-NH2),然后用二次 等離子體刻蝕機等離子體處理硅烷化后的PMMA,將帶有氨基官能團的烷基硅分子降解為硅羥基(Si-OH),用于與等離子體處理后的PDMS中的硅羥基發生反應,實現鍵合。2Si-OH→Si-O-Si+2H2O。

多層多層復合涂層技術及材料層材料重組、結構、厚度、層數合成與設計,涂層材料微觀結構及制備技術。 (3)表面涂層工藝和質量數值模擬與優化控制的研發重點是熱化學表面改性工藝以及 PVD ??和 CVD 沉積技術的工藝模擬和優化研究。建立數學模型和算法,開發相應的計算機軟件系統,指導和分析表面改性和涂層工藝設計,預測表面性能和使用壽命。

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