等離子體與晶片表面的二氧化硅層表面相互作用后，晶圓等離子體去膠設備活性原子和高能電子破壞并移動原有的硅氧鍵結構。由于變成非橋鍵，表面被活化（活化），與活性原子的電子鍵能向高能方向移動，表面存在大量懸空鍵，產生這些懸空鍵. 增加。鍵以 OH 基團的形式結合。它的存在是為了形成一個穩定的結構。在有機或無機堿中浸泡并在特定溫度下退火后，表面的Si-OH鍵脫水聚合形成硅-氧鍵。這提高了晶片表面的親水性并進一步促進了它。晶圓鍵合。

轉載請注明出處。。等離子表面處理器臺階高度對多晶硅柵極蝕刻的影響 等離子體表面處理器臺階高度對多晶硅柵極蝕刻的影響：地形對多晶硅柵極尺寸也有顯著影響。 （淺溝槽隔離的臺階高度表征了多晶硅生長前的晶圓表面形貌。由于爐多晶硅的平面生長，晶圓等離子體去膠機器正臺階高度（淺溝槽隔離氧化硅的頂面活性區）變厚多晶硅靠近淺溝槽隔離區，影響多晶硅柵極的側壁角。

這是金納米顆粒與晶片的光催化劑接觸的結果，晶圓等離子體去膠設備并且被認為是真空等離子體裝置中光催化劑的獨特特征。金屬-晶圓界面之間產生內部電場，在肖特基勢壘內或附近產生的電子和空穴在電場的作用下沿不同方向移動。此外，金屬部分為電荷轉移提供了通道，其表面充當了電荷收集光化學中心，增強了可見光的吸收。肖特基結和快速電荷轉移通道可以有效抑制電子-空穴復合。與肖特基效應相比，由表面等離子體振蕩增強的一些光催化效應更為明顯。

1.2 有機物 有機雜質有多種來源，晶圓等離子體去膠包括人體皮膚油、細菌、機油、真空油脂、照片和清潔溶劑。此類污染物一般會在晶圓表面形成有機薄膜，阻止清洗液到達晶圓表面，導致晶圓表面清洗不徹底，金屬雜質等污染物在清洗后仍完好無損地保留在晶圓表面。 這些污染物的去除通常在清潔過程的第一步中進行，主要使用諸如硫酸和過氧化氫之類的方法。 1.3 金屬半導體工藝中常見的金屬雜質包括鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀和鋰。

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隨著半導體技術的發展，其重要性和挑戰也越來越突出。低溫等離子蝕刻的一個顯著特點是它具有非常大的空間和時間尺度跨度，并且需要在直徑為 300 MM 的圓上進行埃 (& ARING;) 微處理操作。時間尺度也從納秒級的電子響應時間到蝕刻整個晶圓所需的宏觀分鐘級。這種時間和空間跨度很好地反映了等離子清潔器 VLSI 制造和等離子蝕刻技術所面臨的挑戰。

等離子清洗機支持直徑從 75MM 到 300MM 的圓形或方形晶圓/板尺寸的自動化處理和處理。此外，它可能存在也可能不存在，這取決于晶片的厚度。承載板的處理。等離子室設計提供了出色的蝕刻均勻性和工藝再現性。主要等離子表面處理技術的應用包括各種蝕刻、灰化和除塵工藝。其他等離子工藝包括去污、表面粗糙化、水分增強、粘合劑和粘合強度增強、光刻膠/聚合物剝離、介電蝕刻、晶圓凸塊、有機去污和晶圓釋放。

在接觸孔被蝕刻后，邊緣區域的氧化硅膜在金屬填充過程中脫落，并落到晶片表面。這直接導致化學機械拋光后接觸孔中的金屬損失。設備故障。在后期形成金屬互連的過程中，殘留在邊緣區域的金屬填料也會導致等離子體相關工藝中的放電（AR）。CING）問題。它可能導致整個晶片的處置。因此，在器件制造過程中，需要控制邊緣區域，去除這些堆積在晶圓邊緣的薄膜可以減少制造過程中的缺陷并降低良率。有三種主要方法可以清潔晶圓的外邊緣和斜面。

這些雜質的來源是各種器具、管道、化學試劑和半導體晶片。該工藝在形成金屬互連時也會導致各種金屬污染。通常通過化學方法去除這些雜質。用各種試劑和化學品制備的清洗溶液與金屬離子反應形成金屬離子絡合物，并從晶片表面分離。 4. 氧化物 當半導體晶片暴露在含氧和水的環境中時，表面會形成自然氧化層。這種氧化膜不僅會干擾半導體制造中的許多步驟，而且它還含有某些金屬雜質，在某些條件下會轉移到晶圓上，形成電缺陷。

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電極間距和層數，晶圓等離子體去膠機器以及氣體分布要求: 等離子清洗機反應室的電極間距、層數、氣路分布等參數對晶圓加工均勻性有顯著影響，這些指標需要不斷測試和優化。 電極板溫度要求：等離子清洗過程中會積累一定的熱量。如果需要處理，則電極板應保持在一定的溫度范圍內。因此，通常在等離子清洗后向電極中加入水。 放置提示：多層等離子清洗設備具有很高的生產力，可以根據需要將多個晶圓放置在每一層支撐上。