GHZ）是化學反應，二氧化硅刻蝕速度高頻等離子體（激發頻率，13.56MHZ）包括物理化學雙反應類型。 (2)工作氣體的種類也影響等離子清洗的種類。例如，AR2、N2等形成的等離子體常用來進行物理清洗，通過沖擊來清洗產品表面。形成等離子體。常用的反應氣體如 O2 和 H2。化學清洗、活性自由基和污染與物質（主要是碳氫化合物）發生化學反應，形成一氧化碳、二氧化碳和水等小分子，這些小分子會從產品表面去除。

高頻等離子體（激發頻率，二氧化硅刻蝕不均勻為啥13.56MHZ）包括物理化學雙反應類型。 (2)工作氣體的種類也影響等離子清洗的種類。例如，AR2、N2等形成的等離子體常用來進行物理清洗，通過沖擊來清洗產品表面。形成等離子體。在化學清洗中，活性自由基與污染物（主要是碳氫化合物）發生化學反應，形成一氧化碳、二氧化碳和水等小分子，從表面去除。產品。 (3)等離子清洗系統的清洗方式影響清洗(效果)效果。

CH4和二氧化碳作為等離子清洗劑的原料，二氧化硅刻蝕不均勻為啥生成C2烴復合反應 CH4和二氧化碳作為等離子清洗劑的原料，生成C2烴類。二氧化碳加氫的第一個完全還原產物是 CH4，部分還原產物是 C2 烴。其次，CH4的完全氧化產物是二氧化碳，部分氧化產物是C2烴，中間產物是CHX。這兩個反應是相互可逆的。例如，CH4和二氧化碳同時活化，即二氧化碳的存在，有利于CH4的部分氧化，而CH4的存在則抑制了二氧化碳的顯著還原。

, 共同作用促進了 C2 烴類的形成。對作為氧化劑的二氧化碳與 CH4 偶聯反應的影響的調查取決于：首先，二氧化硅刻蝕速度我們提出了一種解決 CH4 活化困難的方法，并提供了一種最大限度地利用氣體的有效方法。通過使用二氧化碳，您可以減少溫室氣體排放。因此，本次討論具有重要的學術價值，范圍廣泛。應用前景廣泛。已經報道了由二氧化碳氧化CH4生產C2烴的路線。

二氧化硅刻蝕速度

討論的結果是，重組反應的主要產物是合成氣，它是少量的碳氫化合物（主要是 C2H6）。但在DBD放電等離子等離子體的作用下，CH4的反應產物轉化和二氧化碳復合反應相對較低，反應能耗較高。 LI等人分別研究了在直流和交流電暈放電作用下CH4和二氧化碳的復合反應。

直接法是在CH4和二氧化碳步驟中制備C2烴，反應可以在微波、流柱放電和高頻等離子體的作用下實現。 LIU 采用流柱發射泡沫，以 HE 作為平衡氣體（占總氣體流量的 60%-80%）在特定發射功率下，取決于二氧化碳與 CH4 的摩爾比差異。甲烷轉化率20%～80%，二氧化碳轉化率8%～49%，C2烴收率20%～45%。在等離子清洗機的作用下，CH4和二氧化碳直接轉化，一步制取C2烴。

該反應的主要 C 烴產物是 C2H2 和 C2H6，它們增加了等離子體輸出。生成 C2H2 是有利的。等離子清洗機實現了二氧化碳氧化CH生成C2烴的反應，甲烷轉化率為31%，二氧化碳轉化率為24%，C2烴選擇性為64%。

等離子處理器功率密度對產品甲烷和 CO2 轉化率、C2 烴和 CO 產率的影響 甲烷和 CO2 轉化率、C2 烴產率和 CO 的影響。甲烷和二氧化碳的量隨著功率密度的增加而增加。這意味著增加等離子處理器的功率并降低供應氣體的流速。也就是說，它增加了功率密度。這是 CH 和 CO2。在 2,200 KJ/MOL 的功率密度下，甲烷和 CO2 的轉化率分別為 43.6% 和 58.4%。

二氧化硅刻蝕

提高功率密度有利于提高甲烷和二氧化碳的轉化率，二氧化硅刻蝕但兩者都甲烷 CH 鍵斷裂 (4.5EV) 和 CO2 CO 鍵斷裂 (5.45EV) 的兩種作用并不相同。如果功率密度小于1500 KJ/MOL，在同樣的實驗條件下，甲烷的轉化率會高于CO2的轉化率。也就是說，系統中高能電子的平均能量隨著功率密度的降低而降低。 , 并且甲烷中大部分電子和 CH 鍵的平均能量較低。