1.清洗電子元件、光學器件、激光器件、鍍膜基片、芯片。2.清洗光學鏡片、電子顯微鏡片等多種鏡片和載片。3.移除光學元件、半導體元件等表面的光阻物質。4.清洗ATR元件、各種形狀的人工晶體、天然晶體和寶石。5.清洗半導體元件、印刷線路板。6.清洗生物芯片、微流控芯片。7.清洗沉積凝膠的基片。8.高分子材料表面修飾。9.牙科材料、人造移植物、醫療器械的消毒和殺菌。
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（活）化原子態氧能迅速將聚酰亞胺膜氧化成揮發性氣體，貴州rtr型真空等離子設備廠家哪家好由機械泵抽走，從而去除硅塊上的聚酰亞胺膜。電漿去膠的優點是去膠操作簡單，去膠效率高，表層清潔，無劃痕，成本低，環保。 等離子去膠機通常選用電容耦合等離子體平行面板反應釜。在平行面電極反應釜中，反應離子腐蝕腔選用陰極面積小、陽極面積大的不對稱設計，腐蝕性物質被放置在面積小的電極上。
影響引線鍵合的因素包括封裝設計、引線布局、引線材料與尺寸、模塑料屬性、引線鍵合工藝和封裝工藝等。影響引線彎曲的引線參數包括引線直徑、引線長度、引線斷裂載荷和引線密度等等。底座偏移底座偏移指的是支撐芯片的載體（芯片底座）出現變形和偏移。塑封料導致的底座偏移，貴州rtr型真空等離子設備廠家哪家好上下層模塑腔體內不均勻的塑封料流動會導致底座偏移。影響底座偏移的因素包括塑封料的流動性、引線框架的組裝設計以及塑封料和引線框架的材料屬性。
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等離子清洗機的典型主機電源是頻率為13.56 KHz的主機電源，它可以產生高等離子體密度、軟能量和低溫。典型功率1-2千瓦，大功率5千瓦，小功率幾百瓦。功率40kW，小功率幾百千瓦，多功率40KHz，中頻功率40KHz，中頻等離子清洗機主電源，大功率5kW，小功率幾百KHz，多功率40。KHz，中頻功率40KHz，能量柔和，溫度低，功率一般1-2kW，大功率5kW，小功率幾百千瓦，小功率幾百KHz。
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