因此，漆面附著力一級對氫氟酸的使用，需要兼顧硅溝槽的清洗效果和淺溝槽隔離氧化硅的損耗。 鍺硅的外延生長對硅溝槽表面性質(zhì)非常敏感，很容易形成各種外延缺陷。因此對硅溝槽等離子清洗機設(shè)備干法蝕刻后的灰化工藝選擇就變得非常關(guān)鍵?；一に嚥粌H要去除殘余光阻，還要得到純凈的硅表面以利于鍺硅的外延生長?；一に嚢趸突一?，低氫混合氣體(含有4%氫氣的氮氣氫氣混合氣體)灰化、高氫混合氣體(氫含量大于20%)灰化。
利用低溫等離子體技術(shù)，怎么提高底材的漆面附著力在獲得需要的材料表面的同時，不會損失材料本身的物理性質(zhì)。等離子處理不會影響材料的物理性質(zhì)，經(jīng)等離子處理的材料部位與未經(jīng)等離子處理的部位相比，一般是視覺上難以分辨，物理上也難以分辨。 低溫等離子體表面處理通常是一個引起表面分子結(jié)構(gòu)變化或表面原子排列的等離子體反應(yīng)過程。等離子體表面處理即使在氧、氮等不活潑的環(huán)境中也能在低溫條件下產(chǎn)生高活性的基團。
在精密加工技術(shù)要求日益嚴格的今天，怎么提高底材的漆面附著力這些殘留往往會對生產(chǎn)過程和產(chǎn)品的可靠性造成不利影響。
例如，漆面附著力一級當(dāng)多晶硅關(guān)鍵尺寸大于硬掩膜的關(guān)鍵尺寸時，偏置側(cè)墻在后續(xù)的P型硅鍺凹槽(PMOS Silicon Recess，PSR)等離子表面處理儀蝕刻中將會受到更多的消耗，一旦偏置側(cè)墻的厚度不足以保護頂部的多晶硅時，在后續(xù)的硅鍺外延生長中，在多晶硅頂部將有很大幾率生長出硅鍺外延形成缺陷，造成器件失效；當(dāng)多晶硅關(guān)鍵尺寸小于硬掩膜時，這種缺陷出現(xiàn)幾率將會小很多，有利于良率提高。
漆面附著力一級
五、plasma設(shè)備用切片法 適用于續(xù)作切片觀察的行業(yè)，例如PCB和FPC加工行業(yè)，通過制作切片，利用晶相顯微鏡觀察和測量線路板孔內(nèi)的刻蝕(效)果。六、plasma設(shè)備用稱重法 尤其適合檢(測)等離子對材料表面進行刻蝕和灰化后的(效)果，主要目的是驗證plasma設(shè)備的均勻性，這是比較高的指標(biāo)，一般國內(nèi)設(shè)備均勻性都不夠理想。。
漆面附著力一級
