熱等離子體裝置4]是利用帶電體尖端(如刀尖或針尖及狹縫電極)造成電場不均勻，表面改性技術在應用稱為電暈放電，使用電壓和頻率、電極間距、加工溫度和時間都對電暈處理效果有影響。隨著電源電壓和頻率的增加，處理強度高，處理效果好。但是，如果工頻過高或電極間隙過寬，則電極之間會發生過多的離子碰撞，造成不必要的能量損失。但如果電極間距過小，則會產生感應損失和能量損失。溫度越高，表面特征變化越快。隨著處理時間的延長，極性基團增加。

經等離子體處理后CIs的高能端尾巴消失，表面改性技術在應用同時我們發現未經等離子體處理的SiC表面Cls峰相對與等離子體后的Cls遷移了0.4ev， 這是由于表面存在C/C-H化合物造成的。未經過等離子體處理的Si-C/Si-O譜峰強度之比(面積之比)為0.87。經過處理的Si-C/Si-O的XPS譜峰強度之比(面積之比)為0.21,與沒有經等離子體處理的相比下降了75%。

冷等離子弧、沖壓式冷等離子射流、熱可控聚變冷等離子等。冷等離子體和冷等離子體的電離率很低，表面改性技術在應用電子的溫度遠高于離子的溫度，屬于非熱平衡冷等離子體。等離子清洗機在清洗過程中使用各種混合氣體，其清洗效果不言而喻。下面列出了一些更常見的混合氣體應用類型。等離子清洗機可分為混合氣體。最廣泛使用的混合氣體之一是惰性氣體氬氣（Ar），在真空室清潔過程中與氬氣（Ar）結合使用時，通常可以合理去除表面納米級污染物。我可以做到。

然而，表面改性技術在應用由于殘留C雜質和表面氧化的缺陷，傳統的濕法處理后SiC表面難以形成良好的歐姆接觸和低界面MOS結構，嚴重影響了功率器件的性能。該化學氣相沉積系統可以在低溫下產生低能離子和高電離、高濃度、高活化、高純度的氫等離子體，使得在低溫下去除C、OH-等雜質成為可能。從濕法清洗和等離子清洗機后的RHEED圖像中，我們發現濕法處理SiC表面呈點狀，這表明濕法處理SiC表面不光滑，局部有突起。

氣相二氧化硅表面改性工藝

從反應機理來看，等離子清洗通常涉及以下幾個過程。一種氣相，其中無機氣體被激發成等離子體狀態，氣相物質吸附在固體表面，吸附的基團與固體表面分子反應形成產物分子，產物分子分解形成；反應殘留物從表面脫落。等離子清洗技術的最大特點是無論被處理的基材類型如何，都可以進行處理。

由于二氧化硅薄膜在集成電路技術中的廣泛應用，需要制備不同性質的二氧化硅薄膜，這意味著必須不斷開發各種新型薄膜沉積技術。近年來，常壓等離子等離子處理技術在薄膜沉積中的應用備受關注，與傳統的氣相沉積方法相比，真空室不受限制，操作方便靈活，運營成本低。保持低。增加。同時反應溫度很低，不會對基板造成熱損傷。不同的加工目標對等離子等離子加工特性有不同的要求。

等離子清洗機（等離子清洗機）又稱等離子刻蝕機、等離子脫膠機、等離子活化機、等離子清洗機、等離子表面處理機、等離子清洗系統等。等離子體處理器廣泛應用于等離子體清洗、等離子體刻蝕、等離子體晶片脫膠、等離子體鍍膜、等離子體灰化、等離子體活化和等離子體表面處理等領域。通過等離子清洗機的表面處理，可以提高材料表面的潤濕能力，對各種材料進行涂層和電鍍，增強附著力和結合力，同時去除有機污染物、油污或油脂。

隨著高新技術產業的快速發展，真空等離子設備制造商的等離子清洗技術應用越來越廣泛，廣泛應用于電子、半導體、光電子等高新技術領域。真空等離子設備制造商處理金屬鋁的示例如下所示。真空等離子設備表面處理后，接觸角由87.7°降低到19.1°，大大提高了金屬鋁的表面潤濕性。。醫療行業采用真空等離子設備清洗技術。 (1) 使用點滴器時，將針座和針管拉出即可。當它出來時，血液會流出。用針管。對病人有很大的危險。

氣相二氧化硅表面改性工藝

等離子清洗技術的不斷發展銅加工業是當今技術發展顯著的產業，氣相二氧化硅表面改性工藝對日本高精度銅、合金銅板和帶材的質量提升有很大影響。因此，根據銅加工企業的制造工藝，銅、合金銅板、帶材作為支撐現代科技發展的重要基礎功能材料，廣泛應用于各種高精度設備的加工制造中。隨著性能、精度和表面質量要求的不斷提高，它在行業中發揮著越來越重要的作用。。

1999年出版的《硅谷英雄》中提到兩位與低溫等離子體蝕刻設備發展密切相關的華人，氣相二氧化硅表面改性工藝一位是林杰屏( David K.，Lam)博士出生于中國廣東，1967年畢業于加拿大多倫多大學工程物理系，后獲得美國麻省理工學院化學工程士(1970)和博士學位(1973)1980年草創了美國泛林半導體公詞，該公司1984年上市時已是全球半導體設備制造商。林杰屏博士開始提出單片晶圓蝕刻模式來確保佳可控的蝕刻工藝環境。