等離子清洗機又稱等離子蝕刻機、等離子脫膠機、等離子活化劑、等離子清洗機、等離子清洗機表面處理機、等離子清洗系統(tǒng)等。等離子處理設(shè)備廣泛用于等離子清洗、等離子刻蝕、等離子晶圓剝離、等離子鍍膜、等離子灰化、等離子活化、等離子表面處理等。同時去除有機污染物、油和油脂等離子清潔劑可用于使產(chǎn)品表面達到可靠的水平。除了長期的粘合作用外，如何增加油脂的附著力還可以賦予新的實用性能。
因此應(yīng)該有針對性地選擇等離子體的工作氣體,如可選用氧氣等離子體去除物體表面的的油脂污垢,選用氫氬混合氣體等離子體去除氧化層。(三)放電功率:放電功率增大,可以增加等離子體的密度和活性粒子能量,因而提高清洗效果。例如,氧氣等離子體的密度受放電功率的影響較大。(四)暴露時間:待清洗材料在等離子體中的暴露時間對其表面清洗效果及等離子體工作效率有很大影響。暴露時間越長清洗效果相對越好,但工作效率降低。
氫等離子體清洗BGA焊球氧化物的具體工藝過程預(yù)清洗BGA的焊球上除了有氧化物，如何增加油脂的附著力還有其他一些污染物，如油脂和灰塵等，這些明顯的污染物首先必須采用預(yù)清洗的過程把它去掉。典型的預(yù)清洗過程包括化學(xué)溶劑浸泡和化學(xué)溶劑超聲波清洗。化學(xué)溶劑浸泡和超聲波清洗能洗掉比較明顯的污垢，為后來的氫等離子體清洗做好準(zhǔn)備。
反應(yīng)等離子體是指等離子體中的活性粒子與耐火材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，油脂的附著力和粘度從而引入大量極性基團。結(jié)果，材料的表面從非極性變?yōu)闃O性，增加了表面張力。并且粘度增加。此外，在等離子體的高速沖擊下，耐火材料表面出現(xiàn)分子鏈斷裂的交聯(lián)現(xiàn)象，增加了表面分子的相對分子量，改善了弱邊界層的條件。這對提高表面粘合性能起著積極的作用。活性等離子體的活性氣體主要是O2、H2、NH3、CDA等。
油脂的附著力和粘度
等離子體表面清潔等離子體只存在于地球上的特定環(huán)境中，如閃電和極光。就像把固體轉(zhuǎn)化成氣體需要能量一樣，形成類離子也需要能量。相應(yīng)數(shù)量的離子體由帶電粒子和中性粒子(包括原子、離子和自由粒子)組成。等離子體轟擊表面可以達到蝕刻、活化和清洗物體表面的目的。能明顯提高表面粘度和焊接強度。等離子體表面處理系統(tǒng)目前被用于清洗和蝕刻LCD、LED、IC、PCB、SMT、BGA、線框和平板顯示器。
低溫等離子廢氣處理裝置定型機廢氣的四個物理特性如下。 (1)定型機廢氣的特性和運動性能非常好，與空氣的運動性能基本相同。壓差產(chǎn)生的壓差使氣體快速移動，為廢氣回收提供了便利條件。粘度在低溫等離子廢氣處理設(shè)備之間具有分子內(nèi)效應(yīng)，由于氣體分子之間的粘附作用而具有恒定的粘度。隨著溫度的升高，廢氣中的碳煙顆粒的粘度也會增加，這與液體不同。
目前，等離子體清洗技術(shù)已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體和光電行業(yè)，主要應(yīng)用領(lǐng)域包括集成電路、半導(dǎo)體、醫(yī)療產(chǎn)品等低溫等離子體表面處理設(shè)備，主要由等離子體發(fā)生器、氣體管道、低溫等離子體噴嘴等組成。電弧放電時，等離子體發(fā)生器產(chǎn)生高壓高頻動能，并由此產(chǎn)生等離子體。這種等離子體技術(shù)在噴嘴中被激發(fā)和控制，氣體，如空氣，通過噴嘴噴射到材料表面。當(dāng)?shù)入x子體技術(shù)與材料表面接觸時，會發(fā)生物理變化和化學(xué)反應(yīng)。
首先通過第一次曝光和蝕刻，形成一條長線條的圖形，俗稱P1。然后做第二次曝光工藝，一般采用硅底部的增透層夾層結(jié)構(gòu)工藝，即先用旋涂工藝沉積較低的一層，然后旋轉(zhuǎn)中層含有硅底面的增透層;旋轉(zhuǎn)光敏電阻的曝光過程和切割孔。通過蝕刻工藝切割多晶硅柵格通常被稱為P2。這種雙顯卡技術(shù)有效地避免了原顯卡技術(shù)中柵長和柵寬對黃光曝光的限制。
油脂的附著力和粘度
等離子體室可以配置6“或8”電源電極，油脂的附著力和粘度以適應(yīng)各種晶圓尺寸，零件，IC封裝和其他元件。
為了跟上摩爾定律的節(jié)奏，如何增加油脂的附著力必須不斷縮小晶體管的尺寸。但是隨著晶體管尺寸的縮小，源極和柵極間的溝道也在不斷縮短，當(dāng)溝道縮短到一定程度時，量子隧穿效應(yīng)就會變得極為容易，換言之，就算是沒有加電壓，等離子體蝕刻源極和漏極都可以認(rèn)為是互通的，那么晶體管就失去了本身開關(guān)的作用，因此也沒法實現(xiàn)邏輯電路。從現(xiàn)在來看，7nm工藝是能夠?qū)崿F(xiàn)的，5nm工藝也有了一定的技術(shù)支撐，而3nm則是硅半導(dǎo)體工藝的物理限制。
