等離子弧柔性成形是一種非常復雜的彈塑性變形過程，環氧粉末附著力差其加工機理十分復雜。一般認為等離子弧柔性成形有兩種基本變形形式:正彎和反彎。等離子體正向彎曲(向等離子體電弧方向彎曲)正向彎曲包括加熱和冷卻過程。在加熱過程中，高能密度等離子弧作用于被彎曲的板材上，使受影響部分上表面材料的溫度在短時間內急劇上升。
根據清潔劑的不同，環氧粉末附著力差可以選擇氧氣、氫氣、氬氣或氮氣作為分貝。 3、在真空室內的電極與接地裝置之間施加高頻電壓，通過輝光放電將氣體分解并電離，產生等離子體。待處理的工件完全包裹在真空室內產生的等離子體中，開始清洗。一般來說，清洗過程持續幾十秒到幾分鐘，這取決于材料和要求。 4、清洗后，切斷高頻電壓，用真空泵除去氣體和氣態污垢。等離子與工件表面的具體作用是：等離子體與工件表面的化學反應與傳統的化學反應有很大不同。
利用大氣等離子清洗機化學氣相沉積寶石膜，環氧粉末噴涂厚度與附著力首先要了解寶石的成核過程，通常分為兩個階段:碳官能團到達基板表面，然后分散到基板內部;第二階段是到達基板表面的碳原子在基板表面帶有缺陷，以寶石晶體為中心形核、生長;決定金剛石成核的元素包括:1。基體信息:由于形核取決于基體表面碳的飽和程度和到達核芯的臨界濃度，因此基體信息的碳彌散系數對形核有重要影響。彌散系數越大，越難達到成核所需的臨界濃度。
（2）氣體品種：待處理物件的基材及其外表污染物具有多樣性，環氧粉末噴涂厚度與附著力而不同氣體放電所發生的等離子體清洗速度和清洗效果又相差甚遠。因而應該有針對性地挑選等離子體的作業氣體，如可選用氧氣等離子體去除物體外表的的油脂污垢，選用氫氬混合氣體等離子體去除氧化層。 （3）放電功率：放電功率增大，能夠添加等離子體的密度和活性粒子能量，因而進步清洗效果。例如，氧氣等離子體的密度受放電功率的影響較大。
環氧粉末附著力差
IC封裝和等離子清洗技術在IC封裝中的作用： IC封裝產業是我國集成電路產業鏈的第一支柱。考慮到芯片尺寸和響應速度的不斷縮小，封裝技術已成為核心技術。質量和成本受包裝過程的影響。未來，IC技術的特征尺寸將朝著IC封裝技術盡快調整的方向發展，向小型化、低成本、個性化、綠色保護和封裝設計方向發展。真空等離子清洗機在半導體行業有比較成熟的先例。 IC半導體的主要制造工藝是在1950年代以后發明的。
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