等離子清洗的優點 等離子清洗的優點： 輝光等離子清洗機的優點 1、等離子清洗后，外延片plasma蝕刻設備待清洗的物體干燥，無需進一步干燥即可送入下一道工序。可以提高整個工藝線的加工效率。 2.等離子清洗避免了有害溶劑對人體的傷害，避免了被清洗物容易被濕法清洗的問題。 3.避免使用 ODS，例如三氯乙烷。這種清洗方法屬于環保綠色清洗方法，因為有害溶劑可以防止清洗后有害污染物的產生。隨著世界對環境保護的極大興趣，這一點變得越來越重要。
超低溫等離子體裝置的低溫等離子體技術主要有電子束照射法、介質阻擋放電法、沿面放電法、電暈放電法等。介質阻擋放電法是高壓下的非平衡放電過程。介質阻擋放電法是一種有效、方便的產生等離子體的技術方法。低溫等離子體技術在處理揮發性有機化合物方面具有獨特的性能，外延片plasma蝕刻設備具有非常廣泛的未來研究前景。在超低溫等離子體裝置中揮發性有機物的低溫等離子體處理中，反應器的電源主要是工頻電源。從提高處理效率的角度，可以考慮高頻電源。
25ML/分鐘速度。從表3-4可以看出，外延片plasma蝕刻設備C2H4和C2H2的選擇性隨著CO2的增加和添加量的增加而單調下降。因此，乙烷的轉化率隨著CO2添加量的增加而增加，但C2H4和C2H2的總收率增加。峰形發生變化。當 CO2 添加量為 50% 時出現極值。另一方面，活性氧進一步與乙烯和乙炔反應以裂解CH鍵并形成CO和碳沉積物。當 CO2 的添加量很大時，這種現象尤其明顯。
CH4 + E * & MDASH;> CH3 + H + E (3-1) CH3 + E * & MDASH;> CH2 + H + E (3-2) CH2 + E * & MDASH;> CH + H + E (3-3) CH + E * & MDASH;> C + H + E (3-4) CH4 + E * & MDASH;> CH2 + 2H (H2) + E (3-5) CH4 + E * & MDASH;> CH + 3H (H2 + H) + E (3-6) CH4 + E * & MDASH; C + 4H (2H2) + E (3-7) 自由基和下一個產品 A 之間的耦合發生反應。
外延片plasma清洗設備
表面涂有各種材料，以達到疏水性（疏水性）、吸濕性（吸濕性）、疏油性（耐油性）和疏油性（耐油性）。。等離子發生器能量密度對H2氣氛中C2H6脫氫反應的影響影響。 C2H6脫氫反應：隨著H2濃度的增加，C2H6的轉化率和C2H2、C2H4、CH4的收率均增加。這表明H2的加入有利于C2H6的轉化以及C2H2和C2H4的生成。 CH4。
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