我知道的是：表面激光合金化、噴丸、滲碳、氮化、鍍膜，氮化硅的親水性其實你要說得更詳細一些，比如金屬表面處理使金屬強化方法或者耐腐蝕性增強等等，因為金屬表面處理的方法很多，有的涉及物理變化，有的涉及化學變化，它們的金屬表面處理目的是不一樣的。如果用單指等離子表面處理器處理，如果是各種塑料，一般可以保持40小時左右，效果比較理想。特定的塑料制品需要特定的差異；如果是金屬，可以保存40多個小時，但效果會越來越弱。。

因此，氮化硅的親水性如果發現等離子體表面墊圈的側壁蝕刻的主蝕刻步驟的終點監測被暴露，則立即停止蝕刻并切換過蝕刻步驟。主刻蝕步驟中殘留的氮化硅膜通過過刻蝕步驟被刻蝕去除，同時停止在氧化硅膜上，以防止損壞下面的硅襯底。過蝕刻步驟通常使用 CH3F 或 CH2F2 和 O2 氣體的組合。 CH3F 氣體分解為 CHx 和 F. + H。等離子體中的撞擊離子會破壞 Si-O 鍵。

由于氮化硅的流動性不如氧化物，氮化硅的親水性蝕刻難度較大。等離子體表面處理機可以解決蝕刻的困難。等離子體蝕刻是通過化學或物理作用，或物理和化學作用的結合來進行的。在反應過程中,通過反應室中的氣體輝光放電,從而形成含離子等離子體,電子、自由基等活性物質,這些物質由于其擴散特征,將吸附介質的表面,與介質的表面原子的化學反應,揮發物。

2021年GaN技術的發展趨勢是什么？對此，氮化硅的親水性GaN系統做出了四個預測： ■ 預測一：充電器和適配器領域回顧2020年，今年是氮化鎵充電器之年。在售后市場方面，有用于手機、平板電腦和手持游戲設備的各種充電器和適配器。隨著多端口適配器的興起，到 2021 年，OEM 將越來越多地采用 GaN 充電器。

氮化硅的親水性

這些低壓等離子體充滿了整個處理空間，含有大量的活性原子并提高了氮化效率。在射頻低溫等離子發生器滲氮中，低溫等離子發生器的產生和襯底偏壓是分開控制的，因此離子能量轉換和到襯底表面的通量可以分開控制。由于工作氣壓相對較低，耗氣量會相應減少（減少）。在自由基氮化過程中，低能量變換直流輝光放電產生可用于氮化的NH自由基。整個過程需要外部電源來加熱工件。這是一種氣體氮化工藝。

基礎設施的效率已經成為許多組織關注的焦點。雖然2020年將是氮化鎵電源設計工作顯著增加的一年，但我們預計2021年將側重于在數據中心實際實施氮化鎵。到2021年，數據中心運營商將需要提高其物理數據中心基礎設施的功率密度。使用GaN技術的更小的電源允許在相同的機架空間中添加更多的存儲和內存，增加數據中心的容量，而無需實際建設更多的數據中心。

之前已經簡單的給大家提到了提高PET無塵布的吸水性能等離子表面改性處理，那么等離子清洗機的作用方式和提高PET無塵布吸水性能的效果是什么呢?繼續閱讀!PET無塵布和其他PET材料在表面改性前一般都是疏水的。為了便于觀察，我們使用微型注射器將不同大小的藍色透明試劑注入PET無塵布中。如下圖所示，試劑試劑分散在PET無塵布上，不易攤開，說明無塵布吸水性差。

7、加工對象的形狀沒有限制。它可以處理大小，簡單或復雜，零件或紡織品，一切。。等離子清洗機等離子處理對高吸水性樹脂耐鹽性的影響：高吸水性樹脂是近十年發展起來的一種新型功能性高分子材料，具有吸濕、儲水的特性。它吸收和保留相當于自身質量數百到數千倍的水。目前，高吸水性樹脂主要關注不同單體的聚合過程和對去離子水的吸收能力，但通常吸水性樹脂中吸鹽量為去離子水的吸鹽量，小于液體的10%，是有抵抗力的。

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以PP裝飾膜為基材，氮化硅的親水性采用低溫plasma表面清洗對PP裝飾膜表面進行改性，然后對其表面進行水性涂料涂料，plasma改性處理對PP裝飾膜是1種非極性高聚物，分子鏈中沒有極性基團，表面低，結晶度高，化學穩定性好。在制備過程中需要添加一些添加劑，不利于油墨和涂料在其表面的附著。因此，在實際生產中，需要對其低溫等離子表面清洗進行改性。

常壓等離子體清洗機的技術優勢；1.處理溫度低2.運營成本低3.治療過程中不需要額外的輔助物品和條件4.處理全過程無污染5.治療效果穩定6.加工效率高，氮化硅的親水性可實現全自動在線生產有關等離子清洗機的更多信息，請關注：。隨著科學技術的飛速發展，低溫等離子體清洗技能逐漸廣泛應用于工業活動中。等離子體清洗設備分為真空等離子體清洗機和常壓等離子體清洗機。