國內從事GaN外延片的廠商主要有三安光電、賽微電子、海陸重工、晶展半導體、江蘇能華和英諾賽科。從事氮化鎵器件的廠商主要有三安光電、聞泰科技、賽維電子、聚燦光電和贛照光電。 GAN技術的難點在于晶圓制備工藝，外延片去膠設備歐美日在這方面優(yōu)勢明顯。由于熔化 GAN 晶體所需的氣體壓力非常高，因此使用外延技術來生長 GAN 晶體并制備晶片。其中，日本住友電工是全球最大的 GAN 晶圓制造商，占據 90% 以上的市場份額。

這對促進有軌電車行業(yè)以及其他行業(yè)的節(jié)能減排起到了重大的積極作用。 SIC功率器件在新能源汽車及其配套領域具有巨大潛力。 (2)氮化鎵氮化鎵是一種在微波射頻領域不斷受到追捧的新材料。由于氮化鎵襯底材料生長困難，外延片去膠主要通過在國外襯底上外延生長獲得。藍寶石是GAN早期使用的基板材料，也是一種比較成熟的材料。大多數用于光電應用的 GAN 設備都是通過該板制造的。

兩種新襯底分別是 SI 和 SIC，外延片去膠機器GAN-ON-SI（硅上氮化鎵）和 GAN-ON-SIC（碳化硅上氮化鎵）。由于碳化硅和氮化鎵的低晶格適應性，氮化鎵材料自然可以在碳化硅襯底上生長出高質量的外延，當然制備成本也很高。 GAN材料在LED和RF領域都具有獨特的優(yōu)勢。氮化鎵具有高離子化、優(yōu)異的斷裂能力、更高的電子密度和倍率、更高的工作溫度、更低的傳導損耗和更高的電流密度等優(yōu)點。

薄膜金剛石在超硬維護涂層、光學窗口、散熱片數據、微電子等方面如此重要，外延片去膠因此如果人類學習金剛石薄膜制備技術，尤其是單晶金剛石薄膜制備技術，歷史從硅材料時代迅速過渡到鉆石時代。然而，特別是在異質外延單晶金剛石薄膜的情況下，金剛石薄膜的等離子體化學氣相沉積機理仍不清楚。問題是冷等離子體處于熱不平衡狀態(tài)，所使用的反應是氣體也是多原子分子，反應體系復雜，缺乏基礎數據支持。

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直徑大于0.5μM的顆粒被完全去除，小于這個尺寸的顆粒基本去除了原來數量的50%左右。等離子體發(fā)射光譜由線性光譜線疊加在連續(xù)光譜上組成，光譜范圍較寬，從紫外延伸到近紅外，但主要集中在可見光范圍。廣譜輻射有助于增強基板表面上的粒子對等離子體輻射能量的有效吸收。等離子體的產生和擴散，以及其自身的性質，都會影響到基板表面的顆粒，直接影響去除效果。可以說, 粒子去除的物理過程與等離子體的特性密不可分。

2、橡膠表面處理采用等離子刻蝕機，接受高速、高能恒星的沖擊。這種材料結構的表層可以向外延伸，同時在材料表層形成活性層，因此橡膠可以用于印刷、涂膠、涂膠等操作。等離子蝕刻機用于橡膠表面處理，操作方便，不產生有害物質，清洗效果好，效率高，運行成本低。等離子蝕刻機可在材料表面引起各種物理和化學變化，腐蝕，形成致密的交聯層，并提供親水性、粘合性和染色性。 它具有生物相容性和電氣特性。看到了增加。

這很重要，因為鍺多層結構通常外延生長。,且期間的感應層和中間層結構一般采用鍺合金材料，選擇高倍率工藝可以更好地控制此類多層結構的刻蝕。我們知道CF4也是一種高反應性的化學蝕刻氣體。由于這種效應，當向 CF4 添加氧時，蝕刻選擇性很高。這是因為氧氣與底層材料 (SN) 發(fā)生反應以促進表面保護膜的形成，從而防止進一步蝕刻并提高選擇性。用CF4蝕刻的形式似乎也很出色，但氯蝕刻的優(yōu)點是損傷少，適用于界面層和溝道層。

過蝕刻使用CH3F/O2氣體對氮化硅和氧化硅實現高蝕刻選擇性，并通過一定量的過蝕刻去除剩余的氮化硅。硅溝槽是在等離子處理器中通過干法和濕法蝕刻的組合形成的。干法蝕刻用于電感耦合硅蝕刻機中的體硅蝕刻。使用 HBR / O2 氣體工藝。側壁和柵極硬掩模層的高選擇性可以有效防止多晶硅柵極的暴露。 在隨后的外延工藝中，過多的鍺硅缺陷會在柵極上生長。這種過多的鍺硅缺陷會導致柵極和通孔之間的短路故障。

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隨著半導體規(guī)模接近其物理極限，外延片去膠機器新材料、新器件結構和新工藝不斷被引入集成電路制造工藝中，以延續(xù)摩爾定律并使器件尺寸更小 包括高介電常數材料、鍺硅載流子傳輸增強材料、金屬柵極材料、SICONITM預清洗工藝、分子束外延生長工藝等，PLASMA清洗機氣體材料的種類和數量也在相應變化。獲得。一般來說，等離子清洗機的氣體材料根據數量、制造工藝難度和安全性分為通用氣體和特殊氣體兩大類。