使用等離子清洗可取得比濕法清洗更好的效果。用等離子清洗不僅可以去除硬盤在電鍍工藝遺留下來的殘留物，二氧化硅二氧化鈦親水性而且可使硬盤基材表面得到處理，對改變基材的潤濕性、減少摩擦都有很大好處。用于液晶顯示器的等離子體清洗的氣體是氧氣。氧氣是活潑氣體，有很強的反應能力,可以將液晶顯示器表面的油垢以及固體污垢微粒清除干凈。經過氧氣等離子體清洗后有機污垢的分子最終被氧化成水和二氧化碳等小分子并隨氣體排出。

自由基在化學反應過程中能量傳遞的“活化”作用，二氧化硅二氧化鈦親水性處于激發狀態的自由基具有較高的能量，易于與物體表面分子結合時會形成新的自由基，新形成的自由基同樣處于不穩定的高能量狀態，很可能發生分解反應，在變成較小分子同時生成新的自由基，這種反應過程還可能繼續進行下去，最后分解成水、二氧化碳之類的簡單分子。

等離子體清洗原則和其他的優勢原則是不同的,當接近真空的模塊,射頻功率,打開氣體電離,等離子體,并伴隨著輝光放電,等離子體加速電場下,因此高速運動的電場作用下,表面的物理碰撞,等離子體的能量足以去除各種污染物，二氧化硅二氧化鈦親水性同時氧離子可以將有機污染物氧化成二氧化碳和水蒸氣帶出客艙。

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在次表層（SUBSURFACE），或地表以下0- NM處，該層具有大量羥基，對水具有以下親和力：因為它是如此堅固，玻璃表面吸附了大量的水分子（包括少量的二氧化碳）。這部分氣體與表面結合不牢固，屬于物理吸附和弱化學吸附。一般在真空中加熱到150-200℃左右時，大部分可以在幾分鐘內從玻璃上解吸出來。

電暈等離子處理器應用下二氧化碳添加對C2H2脫氫的影響： 能量密度800KJ/MOL電暈等離子處理器下二氧化碳添加對C2H2脫氫的影響： 與等離子標準下的純度相同 用C2H2脫氫，量越高添加到系統中的二氧化碳越多，C2H2 的轉化率就越高。這可能會導致二氧化碳在 CO2 + E * → CO + O 下與等離子體產生的高能電子發生分裂反應，這是電暈等離子體處理器的標準，從而產生活性氧。

大氣等離子體放電電壓對等離子體中CH4向H2轉化反應的影響：隨著放電電壓的升高，甲烷的轉化率和C2烴的收率呈上升趨勢，C2烴的選擇性最高。電壓為16KV，對C2烴的選擇性增加。據文獻報道，在冷大氣等離子體條件下，CH活性物質的發射強度變化直接受工作壓力和放電參數的影響。等離子體中甲烷分解的程度可以通過 CH 活性物質的強度來檢測。

開發機械等離子設備，HKMG技術的偽柵刻蝕。這些步驟會影響柵極氧化物 TDDB。文獻還報道，AA 的上圓角對改善柵極氧化層 TDDB 非常有幫助。這是通過在等離子清潔器等離子設備的 SiN 硬掩模蝕刻步驟之后引入額外的頂部倒圓工藝步驟來實現的。 AA 角是理想的圓弧。在等離子清洗機的等離子器件的柵極刻蝕中，如果等離子不均勻，局部區域的電子流或離子流會從柵極側損壞柵極氧化層，使柵極質量變差。

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也有文獻報道，二氧化硅二氧化鈦親水性光滑的AA上角非常有助于提高柵氧化層的TDDB，這是在等離子清洗器和等離子設備的SiN硬掩模蝕刻步驟之后，通過引入額外的頂部光滑工藝步驟來實現的，得到的AA角是理想的電弧形狀。在等離子體清洗機的柵刻蝕中，如果等離子體不均勻，局部電子流或離子流會從柵側面損傷柵氧化層，降低柵氧化層的質量，進而影響TDDB的性能。李等人。