線和空隙均為20&mu，CCP清洗設備用M的圖形來測試蝕刻效果。本文中使用的石墨烯厚度為50nm，生長在二氧化硅上。蝕刻條件:70sccm的氧氣和30sccm的氬氣混合氣體，偏壓150W，壓力55mt，利用光敏電阻通過兩次自旋涂布20M厚的AZ4620圖形獲得。石墨烯的刻蝕速率約為nm / min，而AZ4620的光刻膠刻蝕速率為330nm / min，這也需要較厚的光刻膠或使用3層掩模結構。
早期采用CCl2F2氣體進行刻蝕，CCP清潔機但由于選擇比和等離子體對底層膜的損傷，開發了兩種氣體等離子體組合刻蝕方案:CHF3+BCl3和CF4+BCl3。實際上，這兩種方案都實現了更快的刻蝕速率和對InAlAs的高選擇比，并且更容易在低壓和高射頻功率下實現。兩種相似材料的不同腐蝕速率是由于反應產物的揮發性不同造成的。GaCl3和AsCl3均較易揮發，而AlCl3較難揮發，會影響進一步蝕刻。
Radu團隊根據ICCD在10ns曝光下拍攝的放電圖像，CCP清潔機發現在大氣壓下惰性氣體He、Ne、Ar、氪的DBD間隙中可以實現輝光放電。除了輝光放電和絲狀放電外，在輝光放電和絲狀放電之間還有第三種放電方式，即柱狀放電。上世紀末以來，國內電暈實驗室、清華大學、大連理工大學、華北電力大學、西安交通大學、華中科技大學、中國科學院物理研究所、河北師范大學等已經開始學習APGD。
在線等離子清洗設備是在獨立的基礎上，CCP清洗設備以滿足表面處理均勻性、一致性較高的質量要求，提高自動化程度，減少人工參與等需求而設計的。根據等離子體產生的激勵方式可分為:電容耦合即CCP，電感耦合即ICP，電子回旋共振即ECR等等離子清洗機設備。根據等離子體發生器的工作頻率，真空等離子體處理系統可分為中頻、低頻、高頻、射頻和微波三種。。
CCP清洗設備
補充說，常壓等離子處理設備建議采取專用的空氣流量控制器，選擇設備要提供穩定的工作氣體，那么真空等離子清洗機廠家一般都會選擇質量流量控制器來實現對通入過程中的氣體流量的控制，真空等離子清洗機一般會選用0~ 50 SCCM、0~ 500 SCCM，一些大型低壓真空等離子處理設備也會選用0~1SLM規格的質量流量控制器。
◎可設定電源、清洗時間、氣體流量、清洗真空等參數。◎氣體質量流量計采用美國進口，輸入輸出按模擬量，量程在0-200sccm范圍內可無級調節，針形閥控制工藝氣體流量。◎清洗后有提示音。◎反射功率過大報警◎泵熱過載報警;反應室漏氣報警;電極采用高通量等離子體結構，牢固可靠，拆卸方便。◎反應室為矩形不銹鋼室，水平放置電極，間距可調。真空泵采用雙腔旋片式泵，極限真空度可在2Pa以下，一般外置。
低壓真空等離子體發生器與大氣等離子體發生器內部使用的獨特電纜的區別:無論是大氣等離子體發生器還是低壓真空等離子體發生器，電纜的組成是必不可少的。數據信號的傳輸和開關電源電路的操作必須按電纜進行。設備中使用的電纜種類很多，其功能也各不相同。下面詳細介紹低壓真空等離子體發生器和大氣等離子體發生器電纜的效果和選擇。電纜的選擇和使用保證了電力線路的安全可靠。清潔機器也不例外。
等離子體清洗不需要其他原材料,只要空氣、氧、氫、氮和其他氣體可以滿足要求,易于使用和沒有污染,同時比其他清潔機器有一個好處,那就是等離子體不僅可以進行表面清洗,更重要的是,可以提高表面活性。等離子體與物體表面的化學反應可以產生活性的化學基團，這些化學基團具有較高的活性，因此應用范圍廣泛，如提高材料表面粘接能力、提高焊接能力、粘接能力、親水性等許多方面。
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如果您對等離子表面清洗設備有更多的疑問，CCP清潔機歡迎咨詢我們(廣東金來科技有限公司)
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